Reprise du message précédent :
http://www.presence-pc.com/actuali [...] tor=RSS-11
 
La PRAM va enfin être une réalité
Samsung a annoncé qu’il allait commencer la production en masse de sa PRAM au mois de juin prochain.
          http://media.bestofmicro.com/PRAM- [...] -454-1.jpghttp://m.bestofmedia.com/i/presencepc/design/loupe.gif Zoom
PRAM
La PRAM ou Phase-Change RAM se nomme aussi PCM ou Chalcogenide RAM[C-RAM]). On parle aussi d’Ovonic Unified Memory en raison du chercheurqui a initialement œuvré pour cette technologie, Standford Ovshinsky.Il travaillait pour Energy Conversion Devices qui donna naissance àOvonix, la firme crée spécialement pour la conception de la PRAM. Cettemémoire utilise les propriétés du verre chalcogènide qui passe del’état cristallin à un état amorphe en fonction de la chaleur.Lorsqu’il est amorphe, le verre chalcogènide possède une très granderésistance électrique et représente la valeur 1 en langage binaire.L’état cristallin est l’exact opposé et représente la valeur 0. Pourconnaître l’état de chaque bit, un courant très faible etn’occasionnant que très peu de pertes énergétiques est envoyé pourdifférencier les résistances.
La PRAM pourrait remplacer la mémoire Flash
Cette mémoire gère 100 millions de cycles de lecture-écriture etpeut conserver des données pendant plus 10 ans. Elle est aussi trentefois plus rapides que de la mémoire flash, en théorie, car l’écritured’un bit ne demande pas que l’on efface le contenu de la cellule avantl’écriture de la nouvelle donnée.
La PRAM devient une réalité
Samsung avait annoncé l’année dernière qu’il commercialiserait cette mémoire en 2009 (cf. « Samsung : de la PRAM en 65 nm dès 2009»). On est encore loin de remplacer la mémoire flash, mais celapropulse la PRAM sur le devant de la scène. La fabrication de cettemémoire aura lieu dans les usines 200 mm du Coréen. Reste maintenant àvoir avec quelle rapidité cette mémoire sera intégrée dans les produitsgrand public qui utilisent aujourd’hui de la mémoire flash.

128 milliards d'opérations par seconde
 
Fujitsu vient de présenter son tout nouveau processeur, le Venus, ou Sparc64 VIIIfx. Après 10 ans, la firme japonaise affirme retrouver la tête des concepteurs de processeurs, avec la puce la plus puissante du monde.
 
Ce CPU serait capable d'accomplir 128 milliards d'opérations à virgule flottante par seconde, une puissance de 128 Gflops. Gravée en 45 nm, elle réunit 8 cœurs, pour être 2,5 fois plus performante que la précédente puce Sparc 64 VII de Fujitsu, tout en consommant seulement un tiers de son énergie.
 

 
Cette puce prendra place dans un premier supercalculateur japonais destiné au calcul de la météo, la simulation environnementale, la prédiction des tremblements de terre, ainsi qu'à la recherche médicale et chimique.
 
Ce supercalculateur réunira plusieurs dizaines de milliers de processeurs Sparc64 VIIfx. Sachant que le serveur FX1 JAXA, composé de puces Sparc64 VII à 40 Gflops, est déjà classé 17eme des supercalculateurs les plus puissants au monde, la prochaine bête composée de Sparc 64 VIIIfx risque de chambouler les premières places...
source : http://www.pcinpact.com/actu/news/ [...] rapide.htm
 
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Analyse info : http://translate.google.com/transl [...] 68480.html

lol ... 128GFlops ... la HD4770 fait mieux à 100€ avec ses 960GFlops ...    je sais on peut pas comparer CPU et GPU
 
Source : http://www.presence-pc.com/actuali [...] ies-34968/
 
GlobalFoundries veut produire de la Thyristor RAM
 
Après la CMox, parlons de la T-RAM. Cette mémoire à thyristor ne se place pas en concurrence directe puisqu'elle est une mémoire volatile, destinée à remplacer la SRAM aujourd'hui omniprésente dans les caches des processeurs. La T-RAM avance néanmoins des arguments similaires : meilleure densité, meilleure vitesse de lecture et bien meilleure vitesse d'écriture que la SRAM et intégration facile aux procédés de fabrication existants.
 
Cette mémoire a soulevé l'intérêt de GlobalFoundries, la filiale ayant récupéré les usines d'AMD. GlobalFoundries et T-RAM Semiconductor ont signé un accord de développement conjoint de la T-RAM afin de la fabriquer grâce aux procédés de gravure en 32 nm et 22 nm développés en ce moment par GlobalFoundries. L'idée est que GlobalFoundries pourra ensuite vendre cette technologie à ses clients, et notamment à AMD, qui pourra ainsi inclure des caches beaucoup plus importants et plus rapides dans ses CPU.
 
 
 
 
Bref, la SRAM, c'est dépassé, et complètement . Et AMD bénéficiera peut-être bientôt (G34 ?) d'un de ses successeurs .

(05/22/2009 12:36 PM EDT)
 
LONDON — Researchers at the National Institute of Standards and Technology in the U.S have warned of a fundamental flaw in the understanding of transistor noise, and suggest that unless it is solved, it could stand in the way of developing more efficient, lower powered devices.
 
The researchers, led by Jason Campbell, came across the problem while studying the fluctuations between on-off states in progressively smaller transistors.
 
They claim that a widely accepted model explaining errors caused by electronic 'noise' in switches does not fit the facts. For decades, they say, the engineering community has largely accepted a theoretical model that identifies these defects and helps guide efforts to mitigate them.
 
The theory — or the elastic tunnelling model — predicts that as transistors shrink the noise frequency should get higher.
 
But Campbell and his colleagues at NIST, together with scientists from the University of Maryland College Park and Rutgers University, have now shown that even in nanometer sized transistors, the noise frequency remains the same.
 
"This implies that the theory explaining the effect must be wrong," Campbell said. "The model was a good working theory when transistors were large, but our observations clearly indicate that it's incorrect at the smaller nanoscale regimes where industry is headed," he added.
 
The problem has particular implications for low-power transistors, the researchers stress, as the fluctuations they have observed grow even more pronounced as the power decreased.
 
"This is a real bottleneck in our development of transistors for low-power applications. We have to understand the problem before we can fix itand troublingly, we dont know what is actually happening."
 
Campbell credits NIST colleague K.P. Cheung for first noticing the possibility of trouble with the theory.  
source : http://www.eetimes.com/news/latest [...] =217600659

Le 28nm, pas avant 2011
 

 
We've managed to score a quite unique picture of 28nm wafer of Globalfoundries' test production of SRAM chips. The company also displayed 32nm Silicon on Insulator, a new process scheduled for 2010 that will be mainly used by AMD for its upcoming 32nm CPUs.
 
 
The company believes that 28nm is a very strategic node for Globalfoundries and potential customers for it are graphics and wireless people. You can imagine that Nvidia and ATI will be coming along with 28nm graphics chips.
 
The pictured wafer has many 28nm SRAM chips manufactured in Bulk production but it might be a while until Globalfoundries has them ready.
source : http://www.fudzilla.com/content/view/13968/1/
 
Industry still haven’t mastered 40nm chips and these things are still quite rare, the industry already talks about 28nm manufacturing process. As we said before this process will fit good for wireless and graphics chips and our sources have confirmed that you can expect 28nm chips to ship to market in early 2011.
 
 
The sources close to Globalfoundries have also confirmed that the company will be ready to take the customers orders in middle 2010 but the first chips won’t be out by early 2011.
 
The fact that the company has SRAM test chips showcased at Computex means that they are very serious to take the TSMC’s customers and try to win some money.
 
The “separation” of AMD and its manufacturing fabs will definitely put more pressure on TSMC and we definitely stand that competition is a great thing, and it will make lazy TSMC push harder to keep its existing customers.
source : http://www.fudzilla.com/content/view/13969/1/

Et Theo de BSN qui disait "early 2010"... http://www.brightsideofnews.com/ne [...] dries.aspx

TSMC avec IMEC sur le 22nm
 
European independent research center IMEC has recently signed a new research agreement with foundry giant TSMC in which both groups plan to collaborate on R&D for integrated circuits based on the 22nm process and beyond.
 
For some time, TSMC has been contemplating an internal solution to combat the effects of the slow economy and concluded that it will invest a significant amount of resources in the creation of a new R&D team that will be based at IMEC facilities in Belgium. This will allow TSMC to gain access to IMEC's state-of-the-art clean room infrastructure, which has been claimed to house the most advanced semiconductor manufacturing tools on the planet.
 
IMEC’s executive VP and chief operating officer Luc Van den hove stated, "This agreement with TSMC represents an extension of our long-term strategic and fruitful partnership. We are proud that TSMC joins forces with IMEC to strengthen their global R&D. This proves the industrial importance of our semiconductor scaling research. We are confident that IMEC's joint research model will contribute to TSMC's 'collaborate to innovate’ approach.”
 
Over the course of this year alone, TSMC plans to shell out $1.5 billion on capital expenditure and is prepared to invest some of its proprietary tech in an attempt to speed up consumer technology adoption. More specifically, it plans to expand its current global R&D headcount by more than thirty percent from its current 1200 employees.  
source : http://www.fudzilla.com/content/view/14087/1/
 
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"22 nanometers and beyond" Article complet ==> http://www.eetimes.com/news/latest [...] =217701736

Intel repousse les limites de la lithographie par immersion
 
Source : http://www.presence-pc.com/actuali [...] -nm-35387/
 
Intel vient d’annoncer avoir réussi à graver en 15nm en utilisant un procédé de lithographie par immersion. Cette avancée pourrait repousser, encore une fois, l’introduction de la lithographie par ultraviolet extrême.
 
Des résultats prometteurs, mais pas de promesse pour le moment
 
Alors que beaucoup estimaient que la lithographie par immersion ne pourrait pas dépasser les 22nm, Intel a prouvé le contraire. Les premiers essais ont été réalisés en laboratoire. Il est donc encore impossible de parler de production de masse pour le moment.
Intel repousse les limites du possible
 
Néanmoins, le fait qu’Intel ait montré qu’il était possible, en modifiant certains mécanismes, d’utiliser la lithographie par immersion pour cette finesse de gravure, est non seulement une claque pour tous les sceptiques, mais c’est surtout une bonne chose pour le consommateur qui pourrait, si les recherches avancent dans le bon sens, profiter de puces en 15nm pour un prix qui se sera pas gonflé par l’achat de machine plus onéreuse que d'habitude, ce que demandera la lithographie par ultraviolet extrême.

éhéh vive la technologie !!

A croire que cette damnée lithographie par ultraviolets extrême ne sera jamais utilisée ...    
Déjà qu'elle était prévue à partir du 65nm ...
Seule la nanoélectronique pourra remplacer durablement le CMOS .

Genre les 32/22 nm sont bons marchés.  Et genre le coût de graver en 16nm est le même qu'en 65nm.  
 
C'est pas du tout ce que dit HFR, et c'est drôle, puisque la source est aussi EE Times...
 
http://www.hardware.fr/news/8728/p [...] uteux.html
 

Une nouvelle génération de SSD plus fiables (avec un autre nom ?) en vue dés 2010 ?
 
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Petite révolution du domaine de l'informatique, la mémoire à changement de phase, aussi appelée PRAM pour Phase-change Random Access Memory ou PCM pour Phase Change Memory, se fait désirer. Alors que Samsung nous  promettait sa commercialisation ce mois-ci, ce dernier se contente finalement d'annoncer qu'il développe les spécifications de cette nouvelle génération de mémoire, conjointement avec  Numonyx, jeune alliance entre Intel et ST Micro.
 
Les deux spécialistes du semi-conducteur travaillent ainsi sur la standardisation de la PRAM, dans l'optique de produire des puces de mémoire compatibles, non seulement sur le plan logiciel mais aussi sur le plan matériel. Les deux fabricants se concentrent pour l'heure sur les usages mobiles de la PRAM répondant au Low Power Memory Device Standard du JEDEC, comprenant notamment des fonctions de gestion de l'énergie.
 
La mémoire à changement de phase combine pour rappel les avantages de la mémoire NOR ou NAND Flash à ceux d'autres technologies de RAM. Non volatile, elle est effectivement jusqu'à trente fois plus rapide que la mémoire flash conventionnelle tout en consommant deux fois moins d'énergie. Elle est en outre bien plus fiable puisqu'elle est validée pour 100 millions de cycles, contre seulement 10 000 pour la mémoire flash.
 
Cette annonce est enfin l'occasion pour Samsung de retarder discrètement la commercialisation des premières puces PCM, puisque les deux sociétés envisagent d'achever leur spécifications l'année prochaine.
source : http://www.clubic.com/actualite-28 [...] phase.html

TSMC announced the successful development of 28 nm : http://translate.google.com/transl [...] N&ie=UTF-8

 
Moué... Reste à voir ce que ça donnera sur les rendements parceque les belles annonces à la 40nm comme on avait eu droit, avec les petits schémas tout jolis gentiment diffusés pour appuyer cette curieuse impression de soit disant avance fulgurante me laisse perplexe. On verra quand ils commenceront à produire des GPU en 28nm les rendements qu'ils obtiennent. D'ici là, TheGlobalFondery sera entré dans la partie !

IBM bosse aussi sur du 28nm à East Fishkill, là où étaient fabriqués les NV40 suite aux problèmes de TSMC sur le 130nm et la FX 5800.
 
http://www.presence-pc.com/actuali [...] IBM-35345/

Vous en voulez de la techno informatique, commencez par cet historique => http://www.presence-pc.com/actuali [...] rames.html
Très instructif

EVGA qui veut instaurer une HotLine en Français pour aider à overclocker => http://www.nokytech.net/a_la_une.html

GF commence la construction de la fab 2: http://www.clubic.com/actualite-29 [...] 28-nm.html
 
On notera que la photo est à double-sens.

C'est à dire
Y'en a un qui creuse et l'autre qui rebouche

 
Nan, en fait c'est que la photo montre des bulldozers, qui sont en train de bosser à la construction de l'usine qui fabriquera les AMD Bulldozer.

salut, felicitation a l auteur!!! j espere qu il n y aura pas de troll a la con!good job

http://www.clubic.com/actualite-294104-nano-laser-spaser-mikhail-noginov-1-nm-terahertz.html
 
Résumé : une université américaine a trouvé le moyen de graver des puces à 1nm .

Le futur mes amis, le futur

 
Communiqué de TSMC sur le 28nm :
 
Hsinchu, Taiwan, R.O.C. August 24, 2009- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TWSE: 2330, NYSE: TSM) today announced that it is adding a low power process to its 28nm high-k metal gate (HKMG) road map. The new process is expected to enter risk production in the third quarter of 2010.
 
TSMC’s 28nm development and ramp has remained on schedule since the company announced the technology in September 2008. The new process’ risk production follows the HKMG high performance (HP) process by one quarter and the low power (LP) silicon oxynitride (SiON) process by two quarters. Risk production for the 28nm low power (LP) SiON process is scheduled for the end of first quarter of 2010, while risk production for the 28nm HP process is expected at the end of second quarter, 2010.
 
The 28nmHPL (low power with HKMG) process is a derivative of TSMC’s high performance HKMG technology and features low power, low leakage, and medium-high performance on a gate-last approach. It supports low leakage applications such as cell phone, smart netbook, wireless communication and portable consumer electronics.
 
The 28nm HPL process comes complete with comprehensive device support and is considered suitable as a SoC platform for general market applications. It is differentiated from the 28LP technology, which is positioned for cellular and handheld applications where lower cost and faster time-to-market from an evolutionary SiON process is most attractive.
 
The 28nm HP process, announced as part of the September 2008 introduction, is also built on a gate-last approach and supports performance driven devices such as CPUs, GPUs, Chipsets, FPGAs, video game console and mobile computing applications.
 
“We developed a gate-last approach for TSMC’s 28nm high-k metal gate family that is superior in terms of transistor characteristics, high end and low end performance upside, and manufacturability,” said Dr. Jack Sun, vice president, Research and Development, TSMC.
 
“TSMC has been working with customers over a significant period of time to develop high-k metal gate technologies for low power applications. The addition of the 28nm HPL to the 28nm technology family, combined with the 28LP and 28HP, means that TSMC now provides the most comprehensive 28nm technology portfolio,” said Dr. Mark Liu, senior vice president, Advanced Technology Business, TSMC.
 
To fully utilize the power of the 28nm technology family for a broad range of differentiating products, TSMC is working closely with customers and ecosystem partners to build a comprehensive design infrastructure based on the company’s recently unveiled Open Innovation Platform™. The Open Innovation Platform™, hosted by TSMC, is open to TSMC customers and partners.
 
About TSMC
TSMC is the world’s largest dedicated semiconductor foundry, providing the industry’s leading process technology and the foundry’s largest portfolio of process-proven libraries, IP, design tools and reference flows. The Company’s total managed capacity in 2008 exceeded 9 million 8-inch equivalent wafers, including capacity from two advanced 12-inch - GigaFabs™, four eight-inch fabs, one six-inch fab, as well as TSMC’s wholly owned subsidiaries, WaferTech and TSMC (China), and its joint venture fab, SSMC. TSMC is the first foundry to provide 40nm production capabilities. Its corporate headquarters are in Hsinchu, Taiwan. For more information about TSMC please visit http://www.tsmc.com.

Le 4nm en 2022 (INTEL) => http://www.puissance-pc.net/cpu-mo [...] ?Itemid=48

Petit rappel pour le 4nm :
http://www.pcinpact.com/actu/news/ [...] -15-nm.htm
Bref, cette roadmap ne sera respectée que s'il n'y a pas de problème majeur .
 
Au fait, j'ai une petite question : sur la roadmap, le procédé qui va succéder au 22nm est le 16nm, mais en fin de news, ils disent 15nm ! J'y comprends plus rien ... quelqu'un pour m'éclairer ?

Une "roadmap" actionnario-marketing, comme les 10 Ghz du Netburst donc.
 
Ensuite le newser se fourvoie, puisque la roadmap officielle va jusqu'en 2013 avec du 16nm.
 
 
edit: je ne sais pas si c'est déjà passé: http://www.tsmc.com/download/engli [...] nology.pdf
 

Bonjour,
 
tout d'abord merci à super_newbie_pro pour ce topic! Je n'étais pas revenu sur ce forum depuis qques mois et je retrouve quelques sujets vraiment intéressants.
Pour moi l'avenir est aux Nanotubes de Carbone. Leur conductivité électrique est la plus élevée de tous les matériaux existants sur cette planète. Ce qui veut dire qu'on va pouvoir fabriquer des processeurs plus efficient et moins gourmands en énergie, mais également plus rapide! Ok vous allez me dire que ce n'est pas pour demain mais quand même, dans les 10 ans je pense qu'on y sera (et puis ce topic est fait pour les années à venir également!!)
Pour ceux qui sont intéressés, voici un lien vers un fabriquant européen de Nanotubes de Carbone, le but n'étant pas de leur faire de la pub mais plutôt car leur site est très complet et décrit vraiment bien le sujet.
 
http://www.nanocyl.com/en/CNT-Expe [...] -Nanotubes
 
@+ et bonne lecture pour ceux que ça intéresse comme moi!!

Actuellement, les nanotubes de carbone sont encore très difficiles à produire, donc leur utilisation massive relève de l'impossible maintenant et dans les années à venir (2-3 ans). Et puis, lorsque les technologies qui permettent aujourd'hui de graver les CPU auront atteint leurs limites physiques, les fondeurs se tourneront plutôt vers la nanoélectronique, et j'ignore si ces nanotubes de carbone en font partie . On est encore loin d'avoir découvert tous les nanomatériaux intéressants .

http://www.pcworld.fr/2009/09/07/m [...] es/446001/
 

http://www.presence-pc.com/actuali [...] que-36323/
 

 
On va finir par devoir pomper pour alimenter nos PC    

http://www.presence-pc.com/actuali [...] ube-36400/
 

http://www.clubic.com/actualite-30 [...] emain.html
 

 
PS : Pourquoi suis-je le seul à poster dans ce topic ?  

Perso., je suis les news alors j'ai déjà lu bien souvent ce que tu postes

Et tu ne fais pas partager...?
Rapace...!

Ça passe car c'est dredi mais que je t'y reprennes +

http://www.futura-sciences.com/fr/ [...] bre_20385/
 

 
Je parie que si beaucoup d'entre ceux qui suivent ce topic connaissaient déjà les processeurs optique et quantique, ils n'avaient jamais imaginer qu'on pouvait les regrouper en un seul processeur ...  

pas mal, surtout pour l utilisation des differents etats quantiques pour les calculs...
 
 
c est ose...

Bon, alors, voilà, vous connaissez tous la puce Hydra de Lucid Technology, petite firme inconnue dans laquelle Intel investit énormément d'argent, et non pas sans raison : la puce Hydra devrait permettre de faire un "CrossSLI", autrement dit de combiner 2 cartes graphiques quelle que soit leur origine (comme une Radeon et une GeForce) en augmentant les performances de façon linéaire .
Depuis peu, on sait que la MB Big-Bang de MSI intègrera une puce Hydra . Mais, mauvaises langues oblige, certains ont immédiatement rappliqué en disant que ce n'était qu'un contrôleur PCI-Express supplémentaire tout ce qu'il y a de plus banal . Un nForce 200 like, quoi . Hé bien, ils avaient tout faux !
 
http://www.pcinpact.com/actu/news/ [...] -mixte.htm
 
A son IDF, l'équipe de PCI a pu voir en action la fameuse Big-Bang de MSI . Et, d'après eux, elle peut effectivement faire fonctionner une Radeon et une GeForce en même temps, sur des applications OpenGL ou Direct3D . Apparemment, ce mode hybride sera disponible pour les possesseurs de la Big-Bang via une MàJ de pilotes . D'autres annonces concernant la puce Hydra devraient également être faites ultérieurement, sans plus de précisions .
 
Comment vont réagir ATi et nVidia à cet affront, qui est de combiner leurs solutions multi-GPU propriétaires respectives ?
Affaire à suivre !