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Auteur Sujet :

News - Stockage informatique ; découvertes, actualités et situation

n°7481821
Zack38
Posté le 29-06-2010 à 12:25:25  profilanswer
 

Reprise du message précédent :
C'est sympa, on n'est que deux (plus quelques autres rares intervenants) à poster dans ce topic . :spamafote:  
Vu que ça n'a pas l'air d'intéresser grand-monde, je crois bien que je vais m'arrêter là :o  
 
La mémoire Flash à nanocristaux est plus rapide
 

Citation :

La mémoire Flash a beau avoir rencontré un succès planétaire et avoir rendu possibles la conception de produits jamais vu auparavant, elle n'est pas exempte de défaut. Au premier rang desquels : la lenteur en écriture, et la fiabilité. Ces deux défauts sont minimisés par une évolution mise au point par Freescale : la mémoire Flash à nanocristaux.
 
Une cellule de mémoire Flash classique est formée de grilles faites d'une fine couche de silicium polycristallin. Dans une cellule de à nanocristaux, ces grilles sont constituées d'un ensemble de billes de silicium monocristallin d'échelle nanométrique. Et c'est cela qui confère à cette mémoire ces avantages clés.
 
Pour une même taille de cellule, la quantité de matière retenant la charge électrique est moindre que dans une mémoire classique. Grâce à cela, la quantité d'énergie nécessaire à écrire l'information en mémorie est moindre, et cela se traduit par une vitesse d'écriture 10x supérieure (de l'ordre de 100 µs).  
 
Avec une finesse de gravure de 90 nm, chaque grille d'une cellule à nanocristaux est constituée d'environ 200 nanoparticules de silicium, chacune étant isolée de ses voisines. Ainsi, si l'une d'elles commencent à être oxydée, ses voisines ne sont pas touchées. Au contraire, dans une cellule classique, si un point de la grille se trouve oxydé, la fuite de courant est générale et toute la cellule devient incapable de stocker une charge électrique. La mémoire à nanocristaux perd cependant cet avantage à mesure que la finesse de gravure augmente. À 65 nm, chaque grille ne serait plus composée que de 100 nanocristaux, à 45 nm, d'encore moins.
 
FreeScale vient de commencer à utiliser cette technologie dans deux nouveaux microntrôleurs, et il serait logique qu'on la voit s'étendre à de nombreuses autres puces, si ses bienfaits théoriques se retrouvent en pratique, et si FreeScale parvient à la miniaturiser pour obtenir des capacités compétitives. Notons que Freescale est loin d'être la seule société intéressée par cette technique, Numonyx, IBM et ST Micro travaillant notamment sur le sujet.


 
Source : http://www.presence-pc.com/actuali [...] ory-39861/


Message édité par Zack38 le 29-06-2010 à 12:26:08

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Méta-Topic Hardware
mood
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Posté le 29-06-2010 à 12:25:25  profilanswer
 

n°7481826
BIERMAN
17 YEARS HFR AWAŸ W/O SEQUEL¤§
Posté le 29-06-2010 à 12:30:35  profilanswer
 

Le Fofo a bien changé ces 2 dernières années...
Plus beaucoup de monde n'aide ni ne participe à enrichir son contenu par leurs Posts!
Ce n'est pas spécifique à ce Topic :jap:

Message cité 1 fois
Message édité par BIERMAN le 29-06-2010 à 12:30:52

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n°7481852
Geekeeta
Et mon avenir, il est "aheu" ?
Posté le 29-06-2010 à 12:55:30  profilanswer
 

4'000 lectures pour 80 posts, c'est pas si mal pour des sujets de pointe...
 
Vous voulez ouvrir un débat sur l'oxydation des cellules à nanocristaux ?  :D


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L'ennemi est bête : il croit que c'est nous l'ennemi alors que c'est lui ! [Pierre Desproges] Rochmedia - Morrowind et Oblivion Stargate
n°7481863
Zack38
Posté le 29-06-2010 à 13:04:33  profilanswer
 

BIERMAN a écrit :

Le Fofo a bien changé ces 2 dernières années...
Plus beaucoup de monde n'aide ni ne participe à enrichir son contenu par leurs Posts!
Ce n'est pas spécifique à ce Topic :jap:


 
J'ai loupé l'âge d'or du forum, donc ... :pfff:  
 

Geekeeta a écrit :


Vous voulez ouvrir un débat sur l'oxydation des cellules à nanocristaux ?  :D


 
Je m'y connais pas assez :lol:


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Méta-Topic Hardware
n°7540817
super_newb​ie_pro
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Posté le 20-08-2010 à 10:58:48  profilanswer
 

Disques dur de 25TB en 2013 ? :heink:

Citation :

The Association of People who Stockpile Digital Recordings of the Tasteful Expression of the Human Form, or APSDRTEHF (they are rumored to be voting on a new name in the near future), received word of an amazing feat of storage engineering today.  Toshiba is presenting a paper at the 2010 Magnetic Recording Conference in San Diego today outlining their research and successful implementation of a new technology that can cram a staggering 2.5 terabits of information into a single square inch of platter real estate.  For the layman, that's over 300GB of information stored on a surface the size of a postage stamp.
 
This impressive feat is made possible by using an extremely dense track of 17nm self-assembling polymer dots, with each dot representing a single bit.  Toshiba claims that this is the first time anyone has been able to control a read/write head over such a material, but at the same time they have not shown that they can actually read or write data to the material just yet.
 
Skeptics out there (namely other hard drive companies), claim that the process Toshiba is showing off today is not viable for mass production any time soon.  They say that the tools to produce such a monster cost effectively simply do not exist yet, and they are looking to other methods such as "heat-assisted magnetic recording" to increase aerial density in the mean time.
 
To leave you with some food for thought, a standard 3.5" hard drive platter has approximately 8.4 square inches of recordable area per side, and modern high capacity drives generally have three to five platters in them. With the new technology announced today, that could potentially yield around 25TB of storage capacity in a single 3.5" drive.  No exact word was given as to a timeframe for such technology, but Toshiba speculates it could make it to market sometime in 2013.  From a slightly different angle, if the current hard drive capacity trend line continues unabated we should be seeing drives of this capacity sometime in 2015 or 2016, but who are we to doubt a corporate time-to-market estimate. S|A


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n°7563231
super_newb​ie_pro
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Posté le 05-09-2010 à 17:54:53  profilanswer
 

Des avancées dans la M-RAM, cette mémoire "parfaite" où on n'aurait plus à se soucier du nombre limité de cycles d'écriture notamment pour les SSD !
 
(en attendant, la concurrence avec la PRAM fait son bout de chemin, notamment grâce à samsung qui a commencé la livraison des premiers modèles)
 

Citation :

Researcher develop a simpler, faster and more efficient MRAM using half-way magnetic flipping
 
Chinese researchers have shown that magnetic memory (MRAM), logic and sensor cells can be made faster and more energy efficient by using an electric, not magnetic, field to flip the magnetization of the sensing layer only about halfway, rather than completely to the opposite direction.
 
The new cell requires only two layers (traditional MRAM requires three or more layers) - and so hopefully will be easier and cheaper to make. The design is a simple thin-layer sandwich of two different materials, each of which has very different magnetic and electrical properties. Applying a voltage to the ferroelectric layer switches its polarization in a way that starts to change the magnetic orientation of the adjacent ferromagnetic layer. This partial change alters the electrical resistance of the entire stack enough to indicate whether the cell is storing a "0" or a "1" data bit.

source ; http://www.mram-info.com/
 
( Several companies have tried but failed to commercialize MRAMs. Other companies are planning to enter the MRAM market, including Crocus Technology, Grandis, IBM-TDK, Samsung, Toshiba and Avalanche Technology. )


Message édité par super_newbie_pro le 07-09-2010 à 21:27:04

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n°7565943
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Posté le 07-09-2010 à 21:23:59  profilanswer
 

Micron shows support for phase-change memory (P-RAM)
 
LONDON – Memory chip maker Micron Technologies Inc. has indicated that it intends to back the phase-change memory technology it has acquired along with Numonyx BV in February 2010. However, the technology looks destined for use in solid-state disk drives before inclusion in mobile phones, one place where Numonyx had been aiming the technology.
 
There was some doubt about Micron's intentions for phase-change memory as it had been researching the technology but scaled back its efforts in 2005 and thereafter in an apparent rejection of the non-volatile memory technology. Numonyx has a significant position in NOR flash memory but has also been sampling phase-change memory chips based on technology originally developed by Ovonyx. So it was not clear whether Micron would support or cut the phase-change memory program.
 
Now Micron (Boise, Idaho) has had an article published by EE Times entitled The evolution of phase-change memory authored by Micron senior fellow Greg Atwood.
 
Atwood joined Numonyx in 2008 as the company's first senior fellow before transferring to Micron with the acquisition. In the conclusion to his article Atwood said phase-change memory is "ready for prime time as a next-generation nonvolatile memory." He said that PCM is suitable as a storage-class memory and predicted it would be used in solid-state disk drives to drive higher performance than NAND flash memory at power consumption figures lower than RAM. Thereafter, and as systems software evolves, PCM will be able to move from an I/O drive based usage model to memory-mapped "main memory" usage, Atwood has written.
 
Atwood shows a die shot of the 45-nm 1-Gbit phase-change memory in the article. However, he does not comment on the status of the product and calls it a "demonstration vehicle." Numonyx has been sampling a 128-Mbit phase-change memory implemented in a 90-nm process technology since 2008, but opted to jump over the 65-nm node to create its next part on 45-nm process technology. That shipping of that part has been delayed but it is expected to sample some time in 2010 with volume manufacture available in 2011.
 
Micron's support for the technology as demonstrated in this authored paper at least makes that more likely to happen. source ; http://www.eetimes.com/electronics [...] nge-Memory


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n°7659631
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A ta dispoition frère geek :P
Posté le 15-11-2010 à 18:19:55  profilanswer
 

Les 3 To sont désormais chez plusieurs constructeurs :
 

Citation :

Après Seagate et Western Digital, c’est au tour du constructeur Hitachi de dévoiler ses premiers disques durs d’une capacité de 3 To. Au format 3,5 pouces, le Deskstar 7K3000 fonctionne à 7200 tours par minute, embarque 64 Mo de mémoire tampon et bénéficie d’une interface SATA 6 Gbps. Il est disponible dans des capacités de 1,5 To, 2 To et 3 To.
 
Hitachi lance également le Deskstar 5K3000, un disque dur disponible dans des capacités de 1 To, 2 To et 3 To. Embarquant 32 Mo de mémoire tampon, il utilise une interface SATA 6 Gbps et bénéficie de la technologie Coolspin permettant de diminuer la vitesse de rotation des plateaux à un peu plus de 5000 tours par minute, ce qui le rend plus silencieux et plus économe en énergie que son grand frère.

source ; http://www.presence-pc.com/actuali [...] 000-41329/


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n°7659667
Zack38
Posté le 15-11-2010 à 18:36:35  profilanswer
 

Faudra attendre l'EFI pour exploiter ces 3To, non ? [:mlc]


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Méta-Topic Hardware
n°7659676
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 15-11-2010 à 18:39:51  profilanswer
 

ui edit ; comme DD principal ui


Message édité par super_newbie_pro le 15-11-2010 à 18:40:10

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Posté le 15-11-2010 à 18:39:51  profilanswer
 

n°7674192
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 26-11-2010 à 12:45:33  profilanswer
 

Disque Dur de 24To dans quelques années ; découverte en cours d'application

Citation :

Des chercheurs de l’Université de Kyoto et de l’Institut de Technologie de Tokyo, en partenariat avec Hitachi et la New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) au Japon, ont annoncé avoir mis au point une nouvelle technique permettant d’augmenter de manière sensible la densité d’informations stockées par un média magnétique, tel que les plateaux de nos disques durs.
3,9 Tbits par pouce carré
 
En utilisant des polymères capables de s'arranger automatiquement afin de créer des structures magnétiques de seulement 12 nm, ces chercheurs sont parvenus à atteindre une densité de 3,9 Tbits par pouce carré, soit près de huit fois la densité actuelle des disques durs les plus récents. En pratique, une fois le procédé de fabrication industrialisé, des plateaux bénéficiant d’une telle densité de stockage pourraient permettre la mise au point de disques durs 3,5 pouces d’une capacité de 24 To, ou de modèles au format 2,5 pouces de 8 To. Bien entendu, de tels disques durs ne sont pas attendus avant plusieurs années…
 
Cette nouvelle technologie devrait être présentée lors du congrès Material Research Society qui se tiendra du 29 novembre au 3 décembre prochain à Boston.


Source ; http://www.presence-pc.com/actuali [...] dur-41479/


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n°7683361
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 03-12-2010 à 10:39:41  profilanswer
 

4TB Hard Disk Drives May Emerge in 2011 - Analyst

Citation :

Manufacturers of hard disk drives (HDDs) will continue to boost capacities of their products next year and by the end of 2011 hard drives with whopping 4TB capacities may emerge, according to an analyst. In order to build 4TB  HDDs, manufacturers will have to create new platters with considerably higher than 530Gb/inch2 areal density or make drives with five platters, like Hitachi does.
 
At present 3TB hard drive from Western Digital utilizes four 750GB platters with 530Gb/inch2 areal density. A four platter drive with 4TB capacity will require four 1TB platters with even higher density, something that is not easy to achieve. Moreover, initially platters with higher areal density will be used in 2.5" or 2.5" external drives.
 
"Besides widespread use of desktop storage technology enabling 3TB storage capacity earlier in the year we might see higher desktop capacities later in the year (depending upon the slowing rate of areal density increases). At the very least we will probably see 4TB or higher external storage with small additional increase in areal density and using 5 [platters]. We expect that 2.5" external storage will move beyond the 2TB available today to as high as 3TB and laptop 2.5" drives with 1.5- 2.0TB could happen in the second half of 2011 or early in 2012. Should Toshiba wish to push the storage capacities of 1.8" HDDs it would be possible to make one of these with 1 TB storage capacity," said Thomas M. Coughlin, the founder of Coughlin Associates market research firm that tracks HDDs, in a special report cited by Storage Newsletter web-site.
 
Given the fact that only newer computers will be compatible with hard drives larger than 2.2TBs, the upgrade market of hard disk drives will likely stagnate a bit next year as fewer consumers will be interested in top-of-the-range HDDs. As a result, it is unlikely that manufacturers will attempt to deliver high capacity points at any cost.
 
It is noteworthy that hard drives of 2011-2012 timeframes will be the last traditional drives as going forward new recording methodologies will be implemented to boost capacities.
 
"Beyond 2011 traditional perpendicular recording advances become more difficult and dual stage actuator HDDs or drives for some special applications using what is called shingle writing could provide even higher areal densities while the HDD industry sorts out whether HAMR or patterned media are the choice for more significant and multi-generational HDD areal density advances," said Mr. Coughlin.

source ; http://www.xbitlabs.com/news/stora [...] alyst.html


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n°7700536
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 14-12-2010 à 19:13:03  profilanswer
 

La NOD flash qui équipe les SSD et qui fait fuire le plus gros des clients à cause de ses cycles d'écriture (très) limités, voit son successeur se profiler.
 
M-RAM, la mémoire "parfaite" ; les dernières avancées, objectif toujours inchangé ; 2013
 

Citation :

SAN FRANCISCO - Spin torque MRAM is a nonvolatile memory technology said to  combine high speed operations with low power.
 
During the International Electron Device Meeting (IEDM) here, IBM, Samsung and the Hynix-Grandis duo presented papers on the topic. Spin torque MRAM, or STT RAM, is a next-generation MRAM technology.
 
At IEDM, the IBM-MagIC MRAM Alliance-the joint MRAM venture between IBM and TDK Corp.-disclosed details of its technology-a perpendicular spin torque MRAM. ''We report data from 4-kbit spin torque MRAM arrays using tunnel junctions (TJs) with magnetization perpendicular to the wafer plane,'' according to the paper.
 
''We show for the first time the switching distribution of perpendicular spin torque junctions,'' according to the paper. ''The percentage switching voltage width, alpha(Vc)/<Vc> = 4.4 percent, is sufficient to yield a 64-Mb chip,'' according to the paper.
 
''Furthermore we report switching probability curves down to error probabilities of 5x10-9 per pulse which do not show the anomalous switching seen in previous studies of in-plane magnetized bits,'' according to the paper. ''We have examined in detail the requirements for a 64 Mb MRAM in 90-nm technology with 2-bit error correction code (ECC). Write currents need to be limited to of order 350 µA in order to keep the cell size reasonable.''
 
Samsung Electronics Co. Ltd. is taking another approach. ''Feasibility of STT-MRAM as next generation nonvolatile memory has been tested for the replacement of DRAM and NOR flash,'' according to Samsung.
 
''We report that the cell characteristics of on-axis STT-MRAM with 6 ~ 8F2 are similar to those of off-axis STT-MRAM with 12 ~ 16F2. In addition, we suggest a novel MTJ (magnetic tunnel junction) with the operation current density of 0.8 MA/cm2,'' according to the company. ''These results open a way to scale STT-MRAM down to sub-30-nm technology node using present technology. By further material engineering of ferromagnetic electrode and MTJ structure design, the usage of present technology could be extended down to sub-20-nm node.''
 
The team of Hynix Semiconductor Inc. and Grandis Inc. are taking another approach. ''A compact STT (spin-Transfer Torque)-RAM with a 14F2 cell was integrated using modified DRAM processes at the 54-nm technology node,'' according to the firms. 'The basic switching performance (RH and R-V) of the MTJs and current drivability of the access transistors were characterized at the single bit cell level.''
 
Unlike IBM, Hynix and Grandis ''used in-plane MTJs rather than PMA (perpendicular magnetic anisoatropy) MTJs. Although many research groups have tried to develop productive PMA MTJs, the PMA MTJ still has several technical hurdles such as difficult PMA  film growth and high damping constant. Also, we do not yet have confidence that PMA MTJs can have better scalability than in-plane MTJs in terms of thermal stability and switching current.''

source ; http://www.eetimes.com/electronics [...] l-STT-RAM-


Message édité par super_newbie_pro le 14-12-2010 à 19:13:19

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n°7706231
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 17-12-2010 à 19:41:54  profilanswer
 

Hitachi's New Hard Drive Paves the Way for 4TB and 5TB HDDs

Citation :

Hitachi Global Storage Technologies (Hitachi GST) on Thursday announced a series of new single-platter 2.5" hard disk drives (HDD) that are based on the sixth-generation perpendicular magnetic recording (PMR) platters. The latter feature higher areal density than currently available drives and can thus enable 3.5" hard drives with 4TB or even 5TB capacities.
 
Hitachi Travelstar Z5K500 hard disk drive comes in 2.5" form-factor and is just 7mm thick. The most important thing about this drive is that it is based on one 500GB sixth-generation PMR platter with 636Gb/inch2 areal density. The platters themselves will eventually enable 2.5" drives with 1TB or 1.5TB capacities with two or three platters inside. Moreover, 3.5" platters with 636Gb/inch2 areal density will have capacity of around 1TB, which means that it will be possible to create 4TB hard drives with four platters or even 5TB HDDs with five platters in the next twelve month, which is in line with expectations by analysts.  
 
The Travelstar Z5K family of hard drives offers 500GB, 320GB, 250GB capacities, 5400rpm spindle speed, 8MB cache buffer, Serial ATA-300 interface. The manufacturer declares 5.5ms average latency, 13ms average read seek time, 1.8W maximum power consumption during seek and 0.55W minimum power consumption in idle mode.
 
“As the industry’s only 500GB one disk product and the only second generation 7mm product family, Hitachi continues to push the bar higher, and is leading the shift from 9.5mm 2.5" drives to 7mm 2.5" drives across a broad range of market segments," said Brendan Collins, vice president of product marketing at Hitachi GST.
 
According to IDC, 500GB, mobile 2.5" hard drives represent 22% of the market today, with this capacity growing 42% annually from 2010 to 2013. Offered in a complete family of 500GB, 320GB and 250GB, which satisfies more than 77% of today’s capacity needs in the portable PC market, these drives are the industry’s only second-generation family of 5400rpm 7mm z-height drives, which are designed as a direct replacement for standard 2.5", 9.5mm drives in everything from external drives to laptops, netbooks and blade servers. All this combined puts the new Hitachi Travelstar Z5K500 drive family in the industry sweet spot of opportunity in the mobile 2.5" market, according to the company.
 
“Ultra thin and light devices are, without argument, a growing trend. In order for these innovative designs to live up to their true potential, they need rugged, reliable high-capacity hard drives that can withstand the rigors of a portable environment and satisfy the storage demands of their end users, and Hitachi continues to deliver,” added Mr. Collins.
 
All Hitachi Z-series 7mm drives feature common connectors and mounting points for standard integration into existing systems. The Travelstar Z5K500 drive family will also be offered in enhanced availability (EA) models in capacities of 320GB and 500GB, which are designed and fine-tuned for applications needing “always-on” protection in 24x7, low transaction environments including blade servers, network routers, video surveillance and compact RAID systems.  
 
The Travelstar Z5K500 family will be shipping to select distributors in December.

source ; http://www.xbitlabs.com/news/stora [...] _HDDs.html


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n°7770361
colosse38
pas c'... jean pierre
Posté le 25-01-2011 à 15:33:01  profilanswer
 

dommage que tout soit en anglais because i' dont speak


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interface chaise clavier ! (ou pas)!!  http://colosse38.labrute.fr ou http://colosse38.minitroopers.fr
n°7770738
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 25-01-2011 à 18:44:22  profilanswer
 

Vous pouvez utiliser les traducteurs en ligne ; http://translate.google.com/?hl=fr#


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n°7770740
colosse38
pas c'... jean pierre
Posté le 25-01-2011 à 18:46:24  profilanswer
 

effectivement, je n'y avait pas pensé...merci


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interface chaise clavier ! (ou pas)!!  http://colosse38.labrute.fr ou http://colosse38.minitroopers.fr
n°7774536
tous
http://www.annuaire-guitare.fr
Posté le 28-01-2011 à 03:21:02  profilanswer
 

Et pourquoi j'avais perdu mon drapeau sur ce sujet moi :??:


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Les Cartes Son Haute Fidélité pour mélomanes, musiciens, audiophiles, la MAO, le cinéma,...
n°7774944
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 28-01-2011 à 13:11:08  profilanswer
 

OCZ 1 Go /s en lecture et 900 Mo /s en écriture

Citation :

 
OCZ vient d’annoncer la nouvelle version de son SSD PCI-Express Z-Drive, le R3. Disponibles en version 300, 600 et 1200 Go, les R3 intègrent en fait pas moins de 4 contrôleurs SandForce SF-1565 ce qui lui permet d’afficher des débits de 1 Go /s et 900 Mo /s en lecture et écriture séquentielle et 135 000 IOPS en écritures aléatoires de 4 Ko. En version P84, les Z-Drive R3 utilisent de la MLC mais OCZ indique que des déclinaisons SLC et eMLC sont également possibles.
 
http://www.hardware.fr/medias/photos_news/00/30/IMG0030807.jpg
 
Point intéressant, OCZ précise que sa nouvelle technologie VCA (Virtualized Controller Architecture) permet de combiner plusieurs contrôleurs tout en conservant un accès aux technologies SMART et TRIM.

Source ; http://www.hardware.fr/news/lire/28-01-2011/
 
Si seulement on n'était pas limité en iops bordel !!!  :fou: Je viens de relancer intel pour les supplier de faire des communiqués concernant leur PRAM ... Pour leur concurrent la Mram, on a le droit à une new par mois minimum, mais pour la Pram, même samsung fait silence sur le sujet ; ça les emmerde ou quoi ? Nan parceque la Nand ça va hein... J'aime pas avoir un truc dans mon ordi en sachant que je suis limité en cycles d'écritures ; rien que psychologiquement ça m'empêche d'en devenir acquéreur !
 
****************
 
Mram ; Everspin distribuera également ses puces de STT-Mram en Asie et au Japon.

Citation :

Future Electronics to sell Everspin's MRAM in Asia and Japan
 
EverSpin logoEverspin and Future Electronics expanded their distribution agreement to include Asia and Japan. In addition, Everspin is elevated to "Registered Supplier" status. This places Everspin's MRAM at the top of the list of solutions for a wide range of markets including enterprise storage, datacom/telecom, industrial automation, transportation, gaming and energy management.

source ; Mram infos


Message édité par super_newbie_pro le 28-01-2011 à 14:10:04

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~ PCINFOS.FR ; la maison des topics de super_newbie_pro ~
n°7775020
colosse38
pas c'... jean pierre
Posté le 28-01-2011 à 14:05:23  profilanswer
 

SYMPA ? quelqu'un à tous traduit...
 
petite question parce que je vois qu'il y a des pointures :  
- je sais qu'il faut défragmenter régulièrement un disque dur , mais pas une clé usb à cause des cycles d'écriture sur les puces ,qu'en est-il des disques hybrides avec 4 go de mémoire ? faut défragmenté ou non , usure plus rapide des puces mémoires si défrag ou pas ??
 
merci de vos réponses , le débat est ouvert


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n°7775055
tous
http://www.annuaire-guitare.fr
Posté le 28-01-2011 à 14:30:47  profilanswer
 

J'ai l'impression que cette question d'usure est très très fortement surévaluée pour les disques, vus les tests en cours...
 
Mais là, je ne suis pas un spécialiste :jap:


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n°7823720
BIERMAN
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Posté le 08-03-2011 à 13:54:15  profilanswer
 

Rachat d'"Hitachi Storage" pas Western Digital, devant être finalisé d'ici Q3

Citation :

Avec cette acquisition, Western Digital va donc vendre un disque dur sur deux dans le monde !


http://www.hardware.fr/news/11368/ [...] i-gst.html


Message édité par BIERMAN le 08-03-2011 à 14:47:57

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n°7824257
super_newb​ie_pro
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Posté le 08-03-2011 à 20:06:50  profilanswer
 

1 To par plateau chez Samsung

Citation :

Au CeBIT, Samsung a montré un disque particulier : d'une capacité de 2 To, il se contentait de deux plateaux. Cette densité inédite — les meilleurs disques durs se limitent à 750 Go — devrait permettre à Samsung de proposer des modèles de 4 To dans le futur. Le disque dur est un des futurs Ecogreen F6 de Samsung, il tourne donc à 5 400 tpm, propose 32 Mo de cache et utilise une interface SATA 6 gigabits/s ici totalement inutile, le disque dur n'étant même pas capable de saturer réellement une interface SATA 1,5 gigabit/s.
 
En plus de plateaux de 3,5 pouces de 1 To, Samsung a annoncé un SpinPoint M8 de 1 To qui utilise deux plateaux de 500 Go, comme les derniers modèles de Seagate. La sortie de ce modèle est prévue en avril, avec une interface SATA 3 gigabits/s, 8 Mo de cache et une vitesse de rotation de 5 400 tpm. Pour ceux qui ont besoin de stockage dans un PC portable, ce disque dur devrait être intéressant : l'épaisseur de 9,5 mm est plus standard que les 12,5 mm d'une partie des disques durs de grande capacité.

source ; http://www.presence-pc.com/actuali [...] eau-42829/


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n°7825115
super_newb​ie_pro
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Posté le 09-03-2011 à 13:42:37  profilanswer
 

Mémoire de stockage MRAM extrêmement rapide à portée de main
 
Pour rappel la MRAM est une mémoire non volatile qui permet, contrairement à la NAND qui est employée dans les clés USB et autres SSD, une écriture illimitée (ah enfin pourra-t-on dire...) Et qui est la concurrente de la technologie Pram supportée par intel et samsung (entre autres...)
 
Extremely fast MRAM data storage within reach

Citation :

(Nanowerk News) Magnetic Random Access Memories (MRAM) are the most important new modules on the market of computer storage devices. Like the well known USB-sticks, they store information into static memory, but MRAM offer short access times and unlimited writing properties. Commercial MRAMs have been on the market since 2005. They are, however, still slower than the competitors they have among the volatile storage media.
 
An invention made by the Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) changes this situation: A special chip connection, in association with dynamic triggering of the component, reduces the response from - so far - 2 ns to below 500 ps.  This corresponds to a data rate of up to 2 GBit (instead of the approx. 400 MBit so far)( Cela correspond à un taux de données allant jusqu'à 2 Gbits/s (au lieu de env. 400 Mbits/s à ce jour)). Power consumption and the thermal load will be reduced, as well as the bit error rate. The European patent is just being granted this spring; the US patent was already granted in 2010. An industrial partner for further development and manufacturing such MRAMs under licence is still being searched for. arf pas cool ça !!
 
http://www.nanowerk.com/news/id20447.jpg
Electron-microscopic recording of an MRAM storage cell
 
Fast computer storage chips like DRAM and SRAM (Dynamic and Static Random Access Memory) which are commonly used today, have one decisive disadvantage: in the case of an interruption of the power supply, the information stored on them is irrevocably lost. The MRAM promises to put an end to this. In the MRAM, the digital information is not stored in the form of an electric charge, but via the magnetic alignment of storage cells (magnetic spins). MRAMs are very universal storage chips because they allow - in addition to the non-volatile information storage - also faster access, a high integration density and an unlimited number of writing and reading cycles.
 
However, the current MRAM models are not yet fast enough to outperform the best competitors. The time for programming a magnetic bit amounts to approx. 2 ns. Whoever wants to speed this up, reaches certain limits which have something to do with the fundamental physical properties of magnetic storage cells: during the programming process, not only the desired storage cell is magnetically excited, but also a large number of other cells. These excitations – the so-called magnetic ringing – are only slightly attenuated, their decay can take up to approx. 2 ns, and during this time, no other cell of the MRAM chip can be programmed.
 
As a result, the maximum clock rate of MRAM is, so far, limited to approx. 400 MHz. Until now, all experiments made to increase the velocity have led to intolerable write errors. Now, PTB scientists have optimized the MRAM design and integrated the so-called ballistic bit triggering which has also been developed at PTB. Here, the magnetic pulses which serve for the programming are selected in such a skilful way that the other cells in the MRAM are hardly magnetically excited at all. The pulse ensures that the magnetization of a cell which is to be switched performs half a precision rotation (180°), while a cell whose storage state is to remain unchanged performs a complete precision rotation (360°). In both cases, the magnetization is in the state of equilibrium after the magnetic pulse has decayed, and magnetic excitations do not occur any more.
 
This optimal bit triggering also works with ultra-short switching pulses with a duration below 500 ps. The maximum clock rates of the MRAM are, therefore, above 2 GHz. In addition, several bits can be programmed at the same time which would allow the effective write rate per bit to be increased again by more than one order. This invention allows clock rates to be achieved with MRAM which can compete with those of the fastest volatile storage components.
 
Source: Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB)

source ; http://www.nanowerk.com/news/newsid=20447.php


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n°7871221
BIERMAN
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Posté le 19-04-2011 à 17:12:21  profilanswer
 

Les HDD Samsung passent chez Seagate !

Citation :

Seagate paiera à Samsung 1,375 milliards de $ dont la moitié en action. Samsung possédera alors environ 9,6% de Seagate.


http://www.hardware.fr/news/11452/ [...] agate.html


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n°7871324
ol1v1er
Posté le 19-04-2011 à 18:38:16  profilanswer
 

Bon ils arrivent les Samsung 1To par plateau !  [:obanon]  
 
 [:baxxter69]

n°7871348
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 19-04-2011 à 19:02:11  profilanswer
 

ol1v1er a écrit :

Bon ils arrivent les Samsung 1To par plateau !  [:obanon]  
 
 [:baxxter69]

ils arriveront sous la marque saegate bientôt  :love: ( http://www.presence-pc.com/actuali [...] SSD-43371/ )


Message édité par super_newbie_pro le 19-04-2011 à 19:03:37

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n°7908402
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 20-05-2011 à 14:53:27  profilanswer
 

HP memristor show high durability
 
HP's memristor is a technology that many hope will replace DRAM and NANd as it has properties from both. HP now says that the memristor also has extremely high durability compared to both DRAM and NAND since it has managed to write data to memory circuits over a billion times.
 
Memristor is a technology from HP that has the potential to really change the entire industry since it can get the same density as NAND memory in SSDs and USB sticks, and the same speeds as DRAM. The advantages are obvious, NAND is currently clocked at around 166MHz in regular DDR speeds, which in theory makes HP's technology a huge leap.
 
http://www.nordichardware.com/images/labswedish/nyhetsartiklar/Forskning/HP_Memristor/largethumbnails/Memristor2.jpg
 
The memristor is still a couple of years into the future, but in HP's lab tests are going on where it has written data to a memristor over a billion times, which can be compared to current MLC-based memories at 25nm that breaks after 5000 writes.
HP is working together with Korean memory company Hynix to make the memristor reality, but like we said we are a number of years into the future before it is in any retail products. source ; http://www.nordichardware.com/news [...] ility.html de http://semiaccurate.com/2011/05/17 [...] urability/


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n°7959275
Zack38
Posté le 30-06-2011 à 17:49:37  profilanswer
 

Nouvelle étape pour la PRAM !

 

La mémoire à changement de phase, appelée également PCM (Phase-change Memory) ou PRAM (Phase-change Random Access Memory), vient de franchir une nouvelle étape avec la mise au point par IBM d'un prototype capable de stocker 2 bits mémoires dans une cellule. Ce pas est important puisqu'il permet à la PCM d'avoir une meilleure densité et donc coût par bit inférieur, comme c'est le cas pour la Flash MLC qui stocke également deux bits par cellule.

 

http://img825.imageshack.us/img825/3521/img0032842.jpg

 

Pour l'instant on est toutefois loin d'une commercialisation et le prototype est une puce de 64 Mo gravée en 90nm, contre 25nm pour les dernières mémoires Flash. IBM vise pour le moment 2016 pour des applications serveurs, et a donc le temps de transposer la technologie sur des process plus fins d'ici là.

 

Comme la mémoire Flash NOR ou NAND, la PCM est non volatile et est donc capable de conserver les données même si elle n'est plus alimentée. Chaque cellule contient du chalcogénure, un matériau capable de passer d'un état vitreux (molécules en désordre) à un état cristallin (molécules rangées selon un motif). Ces deux états diffèrent par leur propriété électrique et la mesure de la résistance permet donc de lire les données qui sont écrites en changeant l'état par échauffement.

 

L'avancée d'IBM consiste donc à stocker gérer des états intermédiaires pour un total de 4 états correspondants à 00, 01, 10 ou 11 en termes binaires. Haris Pozidis, qui a mis au point la technologie, estime qu'il sera à terme possible de stocker 3 bits par cellules, voir 4 en changeant de matériaux.

 

Un problème à régler en urgence reste la gestion de l'évolution de la résistance des cellules au fil du temps. En utilisant des états intermédiaires, une telle mémoire est plus sensible à l'évolution de la résistance offerte par une cellule au fil du temps et qui peut entrainer des erreurs de lecture (lire 00 par exemple alors qu'on avait stocké 01). Pour contourner le problème IBM à mis au point un algorithme qui ne se base pas sur la résistance absolue pour mesurer l'état mais sur la résistance relative entre les cellules. Ceci permet à IBM d'annoncer un taux d'erreur d'environ 1 pour 100 000 après 37 jours à température ambiante, ce qui devrait permettre d'atteindre les 1 pour 10^15 (1 millions de milliards) avec une correction d'erreur, mais pour le moment l'algorithme n'as été utilisé que sur une puce de test plus petite et sur seulement 200 000 cellules.

 

Les promesses de la mémoire PCM sont multiples par rapport à la Flash, puisque IBM annonce des vitesses en écriture améliorées par un facteur de 100 avec une latence en écriture de seulement 10 microsecondes et une endurance d'au moins 10 millions de cycles. Reste maintenant à voir si ces promesses seront tenues en pratiques d'ici 2016 !

 

Pour rappel Samsung fabrique depuis 2009 de la PRAM, mais pour l'instant avec des spécifications qui la limite aux applications mobiles. Hynix et Micron travaillent également sur ce type de mémoire.


Message édité par Zack38 le 30-06-2011 à 17:50:24

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Méta-Topic Hardware
n°7988994
Mario XX
Ange Exterminator ★★⭐⭐
Posté le 27-07-2011 à 11:29:36  profilanswer
 


si c'est tellement bien pourquoi dans les ordi de supermarché on a toujours les vieux disques dur contrairement aux processeurs ?


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CRC GOOGLE CLIO16V LA POSTE
n°7989473
mag84
Posté le 27-07-2011 à 16:31:08  profilanswer
 

Au hasard : question de coût  :whistle:  ?
 
Les ssd ou équivalent, c'est bien (très bien même  :love: ), mais hors de prix pour du stockage et pour les pc "1er prix"
 
@+

n°7989566
Zack38
Posté le 27-07-2011 à 17:36:32  profilanswer
 

Lorsque le Gigaoctet coûtera 5 centimes d'€ sur un SSD, je suppose qu'on pourra commencer à voir débarquer ce genre de matériel dans les supermarchés.
 
Le soucis étant qu'à l'heure d'aujourd'hui, il est plutôt question de 2$ par Gigaoctet, sinon plus... et même malgré une évolution optimale (prix divisé par deux chaque année), on risque de ne pas voir de PC supermarché avec un SSD avant... longtemps :D (2017 environ :o )

n°7989569
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 27-07-2011 à 17:38:21  profilanswer
 

Je percevrais la chose différemment ; quand on ne sera plus limité par un nombre de cycles d'écriture, la donne changera. Pour cela on doit encore attendre les M-RAM / P-RAM et compagnie.


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n°7989590
Zack38
Posté le 27-07-2011 à 17:46:03  profilanswer
 

super_newbie_pro a écrit :

Je percevrais la chose différemment ; quand on ne sera plus limité par un nombre de cycles d'écriture, la donne changera. Pour cela on doit encore attendre les M-RAM / P-RAM et compagnie.


 
Tu crois vraiment que la durée de vie du matos vendu en supermarché est un critère important pour les assembleurs ? [:tinostar]  
 
A limiter artificiellement l'évolutivité grâce à BIOS en carton-pâte, je ne pense pas qu'ils se soucient plus du nombre de cycles d'écritures...

n°7989638
pourquoi_m​oi
Posté le 27-07-2011 à 18:10:54  profilanswer
 

[:lardoncru]
 
Sujet très intéressant !! Merci aux intervenants de nous partager ces infos !!

n°8014015
BIERMAN
17 YEARS HFR AWAŸ W/O SEQUEL¤§
Posté le 18-08-2011 à 21:37:01  profilanswer
 

Des chercheurs stockent 50 Go de données dans un minuscule disque en verre
http://www.clubic.com/technologies [...] verre.html


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n°8034442
ol1v1er
Posté le 06-09-2011 à 17:02:35  profilanswer
 

Enfin des disques durs à 1To par plateau  :love:  
 
Les plateaux de 1 To débarquent chez Hitachi
 
Les Deskstar 7K1000.D et 5K1000.B sont proposées dans des capacités allant de 250 Go à 1 To (un plateau au maximum donc, avec des vitesses respectives de 7200 et 5400 tours par minute).
 
Ces HDD intègrent 32 Mo de mémoire cache, et ils se connecteront à l'ordinateur via une interface Serial ATA à 6 Gb/s. Ils affichent des débits pouvant atteindre respectivement 227 Mo/s et 180 Mo/s dans le meilleur des cas. Hitachi précise que ses nouveaux Deskstar 7K1000.D sont 15% plus économes en énergie que leurs prédécesseurs, les 7K1000.C.
 
http://www.pcworld.fr/2011/09/06/m [...] 00/518863/

n°8034452
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 06-09-2011 à 17:10:22  profilanswer
 

Excellent !!! Merci pour la news


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n°8035451
super_newb​ie_pro
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Posté le 07-09-2011 à 13:20:07  profilanswer
 

Disque dur : les plateaux de 1 To arrivent aussi chez Hitachi
 
La suite sur Clubic.com : Disque dur : les plateaux de 1 To arrivent chez Hitachi http://www.clubic.com/disque-dur-m [...] z1XGT80KCA
Informatique et high tech
Après Seagate, c'est au tour d'Hitachi d'annoncer la mise en vente de nouveaux disques durs 3,5 pouces équipés de plateaux de 1 To de capacité.
 
Ces nouveaux disques durs sont disponibles dans les gammes Deskstar 7K1000.D et 5K1000.B, qui proposent des capacités de 250, 320, 500 et 750 Go et 1 To, sans jamais dépasser un unique plateau, donc.
 
Les 7K1000.D tournent à une vitesse de 7200 tpm, économisent 15% d'énergie par rapport aux modèles précédents et proposent un débit de 227 Mo/s. Du côté des 5K1000.B, la vitesse de rotation est limitée à 5400 tpm mais le tout est 23% moins énergivore que les modèles précédents, pour un débit maximum de 180 Mo/s.
 
Les deux gammes sont annoncées en interface SATA 6, avec 32 Mo de mémoire cache. Hitachi précise que des versions CinemaStar équipés de plateaux jusqu'à 1 To seront également disponibles. Le tout sera disponible prochainement a des prix encore inconnus.
 
http://www.clubic.com/disque-dur-m [...] z1XGSxldQ8


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n°8037387
super_newb​ie_pro
A ta dispoition frère geek :P
Posté le 08-09-2011 à 23:50:28  profilanswer
 

La mémoire IBM Racetrack pourrait être une réalité en 2020
 
IBM a donné une conférence de presse mercredi dernier portant sur ses mémoires du futur et pour la première fois, Big Blue affirme que sa Racetack pourrait être une réalité d’ici la fin de la décennie. De plus, d’ici trois ans des capacités de 1 Po pourront être stockées dans une surface égale à un rack 1U, toujours selon la firme.
 
Racetrack est prometteuse, mais sera-t-elle une réalité ou une autre Millipede ?
 
Nous vous présentions les progrès de la Racetrack d’IBM en décembre dernier. Pour rappel, cette mémoire repose sur un mécanisme différent des mémoires actuelles. Au lieu d’aller chercher le bit de données dans la cellule, comme c’est le cas aujourd’hui, il se déplace sur une piste de quelques dizaines de nanomètres d’épaisseur. Les chercheurs ont encore besoin de relever de nombreux défis et mieux comprendre son fonctionnement, mais les résultats publiés en décembre dernier permettent d’envisager une commercialisation dans cinq à sept ans, selon Big Blue. Nous parlons néanmoins d’un projet qui pourrait être abandonné ou utilisé à d’autres fins.
 
La Millipede d'IBMLa Millipede d'IBMCe ne serait pas la première fois qu’IBM travaillerait sur une mémoire qui ne verrait pas le jour. On se souvient de ses recherches sur la Millepede, une puce où les informations sont stockées dans des trous gravés dans un polymère fin. Les cellules mémoires sont écrites et lues par l’une des multiples branches d’un MEMS qui se promène sur la surface. La Millipede était prévue pour 2007, mais les coûts de production trop élevés ont finalement eu raison de son existence. La technologie n’est pas morte. Gerd Bining, chef du projet chez IBM, a déclaré durant la conférence IEEE de mai dernier que la firme travaillait toujours dessus, mais ne compte plus en faire la mémoire de demain. Big Blue recycle les technologies développées dans d’autres produits, comme les sondes utilisées dans les procédés lithographiques.
Une cellule de STT-MRAMUne cellule de STT-MRAMLa MRAM d’IBM d’ici trois ans
 
Durant la conférence de mercredi dernier, IBM a aussi promis d’augmenter la densité des mémoires, sans donner plus de détails. Il a seulement parlé de « technologie magnétique », selon IDG qui rapportait l’évènement. Le fait que cette technologie arrive d’ici trois ans laisse penser qu’il travaille sur sa propre MRAM, ce qui n’aurait rien de surprenant. Nous savons qu’il s’est allié avec TDK pour son développement et qu’il a présenté un papier à l’IEDM (International Electron Device Meeting) en 2010 (cf. « IBM et Samsung parlent de STT RAM »).
 
Les choses évoluent très vite et la STT-MRAM pourrait commencer à concurrencer la mémoire Flash d’ici trois ans (cf. « Toshiba sortirait une STT-MRAM dans 3 ans »). Les recherches dans ce domaine se multiplient (cf. « Une nouvelle structure de MRAM ») et les fabricants montrent de plus en plus d’engouement pour cette technologie, ce qui est toujours bon signe.
 
Pour mémoire, la STT-MRAM repose sur le couple de transfert de spin (Spin-Transfer Torque en anglais) qui est un phénomène se présentant lorsqu’un courant polarisé en spin (qui contient des électrons ayant le même mouvement angulaire, NDLR) traverse la jonction tunnel magnétique, une structure composée de deux éléments ferromagnétiques séparés par une fine couche isolante. Comme le montre le schéma ci-contre, une des couches ferromagnétiques est dite piégée par un élément antiferromagnétique. Quoi qu’il arrive, sa polarité restera inchangée. L’autre couche est par contre libre et lorsque le courant polarisé traverse la jonction à effet tunnel, elle va adopter le spin des électrons envoyés, un phénomène connu sous le nom de Spin-transfer Switching. On va ensuite mesurer la résistance magnétique de la structure. Si elle est forte, cela signifie que les deux plaques ferromagnétiques ont des polarités opposées, ce qui représente un 0. Si elle est faible, les polarités sont identiques, ce qui est à un 1.
 
http://media.bestofmicro.com/J/L/300081/original/2000px-MRAM-Cell-Simplified.svg.png
 
source ; http://www.presence-pc.com/actuali [...] RAM-44895/


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n°8047795
ol1v1er
Posté le 18-09-2011 à 00:02:20  profilanswer
 

Le HDD 7K1000.D 1To à plateau unique d'Hitachi en vente
 
Après des annonces diverses et variées des différents acteurs du marché, mais qui ne laissaient aucun indice sur une commercialisation réelle, voilà enfin un premier disque dur doté de plateaux de 1To vu en vente chez un commerçant. Comme vous vous en doutez sans doute, il ne s'agit cependant pas d'un commerçant français et c'est en l'occurrence du côté du fameux quartier d'Akiba, le Montgallet japonais, que le disque a été aperçu.
 
 
 
Signé Hitachi, on retiendra donc que le tout premier disque à plateaux de 1To du marché est un 7K1000.D, précisément le modèle 1To. L'effet se fait ainsi immédiatement sentir sur la balance, puisque le 7K1000.D 1To affiche un poids plume de 450g contre 680g au 7K1000.C et ses 2 plateaux. Pour les autres caractéristiques, on reste dans les bases classique puisque nous avons affaire pour rappel à un modèle 7200tpm disposant de 32Mo de mémoire cache et d'une interface SATA 6Gbps.
 
 
 
Comme à chaque augmentation de la taille des plateaux, la première caractéristique qui devrait en profiter est le débit maximal du disque. Hitachi annonce ainsi 227,8Mo/s pour le 7K1000.D contre 198,6Mo/s au 7K1000.C. Il reste à attendre les tests pratiques pour voir ce qu'on y gagnera en pratique.
 
http://www.comptoir-hardware.com/a [...] vente.html

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