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  [HFR] Actu : Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC

 



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Auteur Sujet :

[HFR] Actu : Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC

n°9351767
Marc
Super Administrateur
Chasseur de joce & sly
Posté le 08-12-2014 à 17:05:02  profilanswer
0Votes positifs
 

Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech. Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise ...
Lire la suite ...


Message édité par Marc le 08-12-2014 à 17:49:54
mood
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Posté le 08-12-2014 à 17:05:02  profilanswer
 

n°9351777
fredo3
Posté le 08-12-2014 à 17:14:01  profilanswer
0Votes positifs
 

Les PCB http://forum-images.hardware.fr/icones/smilies/love.gif
 

Citation :

Decoding the part number reveals that the packages are equipped with eight chip enablers (CEs), so a single NAND package is viable since all eight dies can be accessed simultaneously.


 
Le rôle des lignes CE n'est-il pas justement de sélectionner individuellement le die à adresser? Comment peuvent-ils parler alors de "accessed simultaneously". http://forum-images.hardware.fr/icones/smilies/heink.gif
 
Par contre que le packaging BGA supporte 2 bus en entrée là oui. (quoi que, c'est pas les TSSOP qui sont limité à 2, et les BGA à 4???). Donc oui plusieurs die peuvent être accéder en //, mais le facteur limitant c'est le nombre de bus et pas le nombre de lignes CE. Non? http://forum-images.hardware.fr/icones/smilies/heink.gif
 
edit:
Oui j'aurais peut-être dû poser la question sur anandtech peut-être :D


Message édité par fredo3 le 08-12-2014 à 17:25:41
n°9351793
shadow4999
Posté le 08-12-2014 à 17:35:52  profilanswer
1Votes positifs
 

Faudrait franchement que samsung baisse les prix...

n°9351922
Krest
Posté le 08-12-2014 à 19:18:22  profilanswer
0Votes positifs
 

Citation :

Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois se cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.


 
C'est pas la 1ère fois que je vois çà dans vos colonnes.
La vitesse d'écriture (et ± lecture) est limite linéaire avec la capacité du SSD sur les "petits", c'est quand même pas négligeable sur le papier.
J'ai dû lire l'explication quelque part, mais j'y avais pas fait vraiment attention, faut que je recherche ;)

n°9351962
Neocryo
Posté le 08-12-2014 à 19:57:52  profilanswer
0Votes positifs
 

C'est dû au nombre de puces de NAND, plus il y en a plus on peut avoir un bon débit en écriture ( cf. Crucial MX100 avec un débit en écriture quasi linéaire en fonction de la capacité ).


Message édité par Neocryo le 08-12-2014 à 19:58:04
n°9352041
Krest
Posté le 08-12-2014 à 20:48:32  profilanswer
0Votes positifs
 

Ok, en lisant ton commentaire j'ai fini par capter, enfin je pense :lol:  
Schématiquement; plus y a de puces, plus on peut écrire les données sur toutes les puces en même temps: tant que le reste n'est bridé pas tel que le contrôleur et/ou le lien "physique" (edit: enfin qqhose comme çà)
 
En fait c'est logique, mais j'arrivais pas à faire le lien dans ma petite tête :D. Ne pas penser comme pour un HDD!
Merci


Message édité par Krest le 08-12-2014 à 23:27:46
n°9352174
Marc
Super Administrateur
Chasseur de joce & sly
Posté le 08-12-2014 à 22:56:02  profilanswer
0Votes positifs
 

fredo3 > Tu oublies l'interleaving sur un même bus

n°9352285
fredo3
Posté le 09-12-2014 à 07:26:05  profilanswer
0Votes positifs
 

Marc a écrit :

fredo3 > Tu oublies l'interleaving sur un même bus


J'ignorais l'existance de cette fonctionnalité :jap:
 
Néanmoins d'après ce que j'ai compris, l'interleaving est utilisé quand plusieurs die utilisent une même ligne CE, la commande "interleaving" adressant le die inoccupé via son adresse LUN unique, pendant que l'autre est occupé.
 
Donc même comme ça, ce n'est pas une question de nombre de lignes CE comme ils l'affirment. Ou j'ai encore rien compris? :D
(Bon c'est pas grave, on va pas s'embêter pour un détail technique :jap: )
 
Tiens ça m'a permis de remarqué que l'ONFI 4 est sorti il y a 8 mois dans la discrétion. (800 MB/s, énorme quand même)

n°9352337
Marc
Super Administrateur
Chasseur de joce & sly
Posté le 09-12-2014 à 08:38:56  profilanswer
0Votes positifs
 

Non tu as bien compris en fait désolé je me suis mal exprimé, ce que je voulais dire donc c'est qu'il est possible d'utiliser différent die en // malgré un nombre de bus inférieur. Sur ces puces il y'a 8 CE et 2 bus donc.

n°9352340
Etre_Libre
Posté le 09-12-2014 à 08:40:16  profilanswer
0Votes positifs
 

Pour l'instant Samsung reste toujours fiable, mais le 850 Evo semble un peu cher au lancement... et même le 840 Evo a vu son prix augmenter ses temps ci.
 
Par ailleurs si jamais quelqu'un a l'info : est-ce que le "840" tout court a son firmware bientôt corrigé comme le 840 Evo ?
 
Merci

mood
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Posté le 09-12-2014 à 08:40:16  profilanswer
 

n°9352955
cocto81
Posté le 09-12-2014 à 18:36:01  profilanswer
0Votes positifs
 

Le 840 tout court a subi une annonce tout comme l'Evo donc Samsung a déjà, ou devrait prochainement corriger. Je sais qu'ils ont déjà sorti un correctif pour l'un d'eux.
 
Vu le prix, je préfère payer le double et avoir un 845 DC Pro en 400 ou 800 Go, si c'est pour choisir Samsung.
On a alors droit à toutes les améliorations de sécurité et de fiabilité, plus une fiabilité MLC hors norme.
 
Le 850 Evo n'a rien de mieux à offrir sur aucun point par rapport à un Crucial MX 100, et ce pour sensiblement plus cher.


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