Voila j'ai donc tout ca ,les barretes sont des PC 3200 Noname mais de chipset SAMSUNG(oui je crois que c'est possible) mais elles sone en CAS 3,puis je quand meme o/c mon Athlon 2600+ barton meme si c'est du cAS 3 ? les diff de performances seront elle visibles ,que ce soit pour les jeux ou les divers applications ? encodage,traitement video,photo etc ...).Mon PC reste allumé 24H/24 7j/7 est en toujours en train de "travailler",ca craint pas trop dans ce cas la ? bref dite moi ce que vosu en pensez !
 
Merci !

ben cas 3 -> cas2.5 elle brochera pas
c ce ke j'ai et ça marche plutot pas mal
meme si c vrai ça vaut pas de la corsair, adata et autre joyeuseté

up & help !

quels chips samsung ???
TCCC,TCC4 ???
 
私は改造の専門家である !!!!  
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j'ai samsung dont une certifiée et une non (3200 cas3 à 200)
et je fait dual avec (2400mghz) en 200x12 avec reglages ram :
7/2/2/2.5 stable mais j'ai testé en 9/4/4/3 et perfo presques identiques a vue d'oeil donc ca passera pour toi.
tu devrait installer aida32 et tester la ram, voir le spd, la marque les carac et les perfos tu serait vite fixé.
a savoir que ds aida mes barrettes sont détectées l'une en samsung (cas 2.5 à 200)et l'autre en noname (cas 3 à 200)(ce sont des samsung tte les deux)

 
c vrai ça kel chip samsung sur les rettes Biomekha

   
私は改造の専門家である !!!
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J'ai 2 barrettes de 256 Mo chacune !
 
     [ Samsung M3 68L3223ETM-CCC ]
         
      Propriétés du module mémoire:  
      Nom du module  Samsung M3 68L3223ETM-CCC  
      Numéro de série  440B074Dh  
      Taille du module  256 Mo (1 rows, 4 banks)  
      Type du module  Unbuffered  
      Type de mémoire  DDR SDRAM  
      Vitesse de mémoire  PC3200 (200 MHz)  
      Largeur du module  64 bit  
      Voltage du module  SSTL 2.5  
      Méthode de détection d'erreurs  Aucun  
      Taux de rafraîchissement  Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
      Latence CAS maximale  3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)  
      Deuxième latence CAS maximale  2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)  
         
      Fonctionnalités du module mémoire:  
      Early RAS# Precharge  Non géré  
      Auto-Precharge  Non géré  
      Precharge All  Non géré  
      Write1/Read Burst  Non géré  
      Buffered Address/Control Inputs  Non géré  
      Registered Address/Control Inputs  Non géré  
      On-Card PLL (Clock)  Non géré  
      Buffered DQMB Inputs  Non géré  
      Registered DQMB Inputs  Non géré  
      Differential Clock Input  Géré  
      Redundant Row Address  Non géré  
         
      Fabricant du module mémoire:  
      Nom de l'entreprise  Samsung  
     
      [ Nanya M2U25664DS88B3G-5T ]
         
      Propriétés du module mémoire:  
      Nom du module  Nanya M2U25664DS88B3G-5T  
      Numéro de série  Aucun  
      Date de fabrication  Semaine 37 / 2003  
      Taille du module  256 Mo (1 rows, 4 banks)  
      Type du module  Unbuffered  
      Type de mémoire  DDR SDRAM  
      Vitesse de mémoire  PC3200 (200 MHz)  
      Largeur du module  64 bit  
      Voltage du module  SSTL 2.5  
      Méthode de détection d'erreurs  Aucun  
      Taux de rafraîchissement  Réduit (7.8 us), Self-Refresh  
      Latence CAS maximale  3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)  
      Deuxième latence CAS maximale  2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)  
         
      Fonctionnalités du module mémoire:  
      Early RAS# Precharge  Non géré  
      Auto-Precharge  Non géré  
      Precharge All  Non géré  
      Write1/Read Burst  Non géré  
      Buffered Address/Control Inputs  Non géré  
      Registered Address/Control Inputs  Non géré  
      On-Card PLL (Clock)  Non géré  
      Buffered DQMB Inputs  Non géré  
      Registered DQMB Inputs  Non géré  
      Differential Clock Input  Géré  
      Redundant Row Address  Non géré
 
Merci pour vos réponses !

tu devrais faire 215-225 MHz max (en sync bien sur) en 8-3-3 cas 2.5 ou en 8-3-3 cas 3
Vers Vdimm ~ 2.7v
 
 
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sérieux c'est pas trop dangereux pour mon matos ? ca vaut le coup ?(voir premier post) merci !

m'est avis ke ça va taper dans les 220 en 2.5-3-3-8 à 2.7-2.8V
avec les samsung le cas 2 c impossible sur les rev superieures à la rev c
et nanya, spas reputé pour la qualité en oc de ses modules memoires
et non ça risque rien qd tu vois certains constructeurs ki vendent des barettes avec des timings certif à 2.75V par ex

J'ai (ou j'avais ,elle est mal en pt) de la rev d.,tu px faire 200-205 MHz en 3-3-7 cas 2 Vdimm @~3.3v
 
 
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Look mon edit

je suis en 3 3 7 2.5 !
et en 166*11.5
je dois donc agir que sur le 166*11.5 ? et je mets quoi a la place ?

up

Help !

   
 
 
よい運
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ba je tapais 180 de fsb à cas 2 à preske 3V
ben bon, spas l'ideal la samsung pour les timings agressifs

     
 
Forum temporairement indisponible...

pareil
sinon j'ai pas retenté le cas 2 remarqur à 3V +

tu px faire 522 cas 2 @ 190 MHz je pense (Vdimm@3.4-3.5v)

ba j'ai pas mod ma nf7
de base je tape 3V + à 2.9V dans le bios

dommage
taka la modded
Mais bon samsung en pc3200 ca suxxxxxx

 
ça sert à rien de la mod
vais rien gagner
mon cpu est à toc à 2344
la ram prends pas plus de 225
et ja ipas le cooling necessaire pour aller au dela

la ddr a pas besoin de cooling (t'es pas a 4v-5v)
 
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je parlais pour le proc
je le sais bien sinon pour la ram

ok
 
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j'ai les kanjis ki s'affichent bien
mais ça s'arrete la jy pige keudalle à tes blagues japonaises

spa une blague

ben no hablo japanese

j'arrete la le hs...sauf ke now ke la ram a bien augmenté, suis pas pres de la changer au chomdu

j'ai ht de la v-data (d68001h pcb ).

ça marche bien ? combien ?

pas testee      
Mais ya aguri qui a screene @294.4MHz (533 cas 2) @3.65v avec de la v-data  VDD8608A8A-6B (pcb:B6U800).
 
http://members.jcom.home.ne.jp/agu [...] x_vd48.htm

mazette
ça donnerait preske envi
 
combien d'euros (pkoi il me fait plus l'¬ ce con de clavier??) ?

34? la pc2700 (256Mo)
35? la pc3200 (256Mo)
Mais faut voir ce qu'elles donnent

35e ????? ah ouias c interessant  
bon de toute maniere, tant ke la nf7 passe pas 230 de fsb, c peine perdue :x

Faudra voir concretement ce que ca donne en max stable

nb: 294.4MHz avec de la pc2700  

et j'avais pas vu le 3.65V