--------[ Carte mère]---------------------------------------------
 
    Propriétés de la carte mère:
      Identifiant de la carte mère                      10/05/2001-i845-ITE8712-6A69VE19C-00
      Nom de la carte mère                              Matsonic MS9017C
 
    Propriétés du bus principal:
      Type du bus                                       Intel NetBurst
      Largeur du bus                                    64 bits
      Horloge réelle                                    101 MHz (QDR)
      Horloge effective                                 404 MHz
      Bande passante                                    3229 Mo/s
 
    Propriétés du bus mémoire:
      Type du bus                                       SDR SDRAM
      Largeur du bus                                    64 bits
      Horloge réelle                                    101 MHz
      Horloge effective                                 101 MHz
      Bande passante                                    807 Mo/s
 
    Propriétés du bus chipset:
      Type du bus                                       Intel Hub Interface
      Largeur du bus                                    8 bits
      Horloge réelle                                    67 MHz (QDR)
      Horloge effective                                 269 MHz
      Bande passante                                    269 Mo/s
 
    Informations physiques sur la carte mère:
      Sockets/slots CPU                                 1
      Slots d'expansion                                 6 PCI, 1 AGP, 1 CNR
      Slots RAM                                         3 DIMM
      Périphériques intégrés                            Audio
      Forme                                             ATX
      Chipset de la carte mère                          i845
 
    Fabricant de la carte mère:
      Nom de l'entreprise                               Matsonic Computer Co.
      Information sur le produit                        http://www.matsonic.com/products.htm
      Télécharger le BIOS                               http://www.matsonic.com/update.htm
 
 
 
--------[ SPD]-----------------------------------------------------
  [ Hyundai 72V32636BT8R-H ]
 
    Propriétés du module mémoire:
      Nom du module                                     Hyundai 72V32636BT8R-H
      Numéro de série                                   Aucun
      Date de fabrication                               Semaine 2 / 2032
      Taille du module                                  256 Mo (1 rows, 4 banks)
      Type du module                                    Unbuffered
      Type de mémoire                                   SDRAM
      Vitesse de mémoire                                PC133 (133 MHz)
      Largeur du module                                 64 bit
      Voltage du module                                 LVTTL
      Méthode de détection d'erreurs                    Aucun
      Taux de rafraîchissement                          Réduit (7.8 us), Self-Refresh
      Latence CAS maximale                              3.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
      Deuxième latence CAS maximale                     2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
 
    Fabricant du module mémoire:
      Nom de l'entreprise                               Hynix Semiconductor Inc.
      Information sur le produit                        http://www.hynix.com/eng/products/dram/index.jsp
 
  [ Micron Tech. 8LSDT864AG-10EC7 ]
 
    Propriétés du module mémoire:
      Nom du module                                     Micron Tech. 8LSDT864AG-10EC7
      Numéro de série                                   030C607Bh
      Taille du module                                  64 Mo (1 rows, 4 banks)
      Type du module                                    Unbuffered
      Type de mémoire                                   SDRAM
      Vitesse de mémoire                                PC100 (100 MHz)
      Largeur du module                                 64 bit
      Voltage du module                                 LVTTL
      Méthode de détection d'erreurs                    Aucun
      Taux de rafraîchissement                          Normal (15.625 us), Self-Refresh
      Latence CAS maximale                              3.0 (8.0 ns @ 125 MHz)
      Deuxième latence CAS maximale                     2.0 (10.0 ns @ 100 MHz)
 
    Fabricant du module mémoire:
      Nom de l'entreprise                               Micron Technology, Inc.
      Information sur le produit                        http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM