Les cellules de mémoire sont regroupées en colonnes et en rangées et elles sont accédées par salve d'accès de colonne CAS) (Column Access Strobe) et par salve d'accès de rangées RAS (Row Access Strobe). La latence CAS est un paramètre qui est utilisé pour définir la longueur du délai entre le moment pendant lequel une commande de lecture est émise sur le coté montant de l'horloge et le moment entre lequel les données de la commande de lecture sont disponibles à la sortie. La latence CAS est exprimée en cycles d'horloge et peut avoir une valeur de 2 ou de 3 cycles d'horloge. La valeur de la latence CAS est déterminée par le grade de vitesse de la puce et la fréquence d'horloge utilisée par l'application. La latence CAS a un impact majeur sur la vitesse de travail globale. Avec une puce de mémoire ayant un CAS de 2, nous avons besoin de 2 cycles d'horloge avant que la première salve d'accès de colonne ne soit accomplie alors qu'avec un CAS de 3 nous aurons besoin de 3 cycles d'horloge pour accomplir la même opération. Donc, un module comportant des puces pouvant travailler avec un CAS de 2 à la fréquence de travail désiré sera beaucoup plus rapide que si elle ne pouvait le faire qu'avec un CAS de 3.
CAS (Column Access Strobe). La classification CAS comprend généralement 3 valeurs :
Latence CAS: La latence CAS configure le temps d'accès des cycles du système de mémoire DRAM lorsque de la mémoire SDRAM est utilisée. Une valeur de 2 donnera une meilleur performance, quoique peut-être moins stable si la mémoire n'est pas certifiée CAS 2. Une valeur de 3 donne des temps d'accès plus lents et ne sera utilisée que pour garantir la stabilité si la module mémoire ne supporte pas CAS 2 à la fréquence du bus mémoire.
Délai RAS à CAS: C'est le délai entre les signaux CAS et RAS. Définir une valeur plus basse entraînera une meilleure performance, mais peut créer une instabilité dans certains cas.
Délai de pré-chargement. Comme la latence CAS et le délai RAS à CAS, cette valeur détermine le délai de pré-chargement de la mémoire. Plus le délai est bas, plus la mémoire est rapide.
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