Vas voir ici:
http://www.x86-secret.com/index.ph [...] 3&topid=4#
C'est un peu technique, mais très explicite. Prends le temps d'étudier l'article le cas échéant, ça en vaut la peine...
Cherche d'autres articles, ils seront certainement complémentaires...
En quelques mots, les barrettes de mémoire vive sont composées de rangés et de colonnes de transistors (1 transistor=1bit de donnée). Pour lire de l'information, il est nécessaire de localiser où l'information va être lue, ainsi dans ta lecture d'information, tu auras au minimum deux phases (en fait il y en a plus mais c'est juste pour saisir...). Cette lecture se fait toujours dans le même sens (colonne puis ligne, éventuellement religne si tu ne changes pas de colonne au préalable). De manère plus explicite: je veux lire sur la colonne x et la ligne y...
1)CAS (Column Adresse Strobe) Latency : C'est le temps minimum pour lire la premiere donnée dans un cycle
2)CAS To RAS (Raw Adresse Strobe) Latency : C'est le temps minimum entre l'acces a une colonne et l'acces a une ligne
3)RAS Precharge Time : C'est le temps minimum qui doit séparer deux signaux RAS
(ras: temps pour l'accès à une ligne)
Pur l'écriture c'est pareil (dans le principe).
Chacun des paramètres d'une ram "5-5-5-12", corresponde en fait à un des paramètres cités ci-dessus (et d'autres dont je n'ai pas parlés). Le temps global d'écriture ou de lecture dépend donc de chacun de ces paramètres. Plus c'est bas, mieux c'est. Suivant les machines, le gain en performance "globale" est plus ou moins important, voir des fois cela ne change "quasiment" rien.
J'espère ne pas avoir débité trop de conneries (des conneries d'amateur 
)
Message édité par mozaia le 29-10-2006 à 13:59:06
