Mais on ne peut les voir à l'oeil nue car elles sont miniaturisés ?
 
Merci  

bon blague a part deja ta question est tres mal posée , tout depend de la memoire que tu as, mais de maniere  generale tu as une technologie de multiplexage qui permet de guider un bit dans un niveau de cellule constitué de semiconducteurs. ce guidage se fait par un mode d'adressage simple (adressage de la memoire).bon maintenant ca devient technique, ce bit (comme tu le demandes) ne peut pas etre vu a l'oeil nue  car il est determiné par un etat de polarisation dans ton semiconducteur, tu n'as jamais vu un volt a l'oeil nue nan . Ce type de semiconducteur c'est generalement des semiconducteurs de structure MOS (Metal Oxyde Semiconductor), et par une certaine polarisation sur le metal on peut arrivé a piéger les electron qui eux vont contribuer a la charge qui va donner l'etat de polarisation dans l'oxyde qui lui donne l'etat du bit, tu me suis jusque là?
bon ensuite tu as d'autres types de memoire a structure MOS mais la ce n'est plus une question de piegage des electrons mais c'est une question  d'etat binaire d'interupteur. en fonction de l'etat de polarisation sur le metal (le drain) tu peux creer ,par un fenomene de depletion forte des electrons qui sont généralement les porteur de charg minoritaire face aux trous, un courant qui d'une maniere assez elaborée (apres inversion forte) va donner l'état de polirisation entre la grille (fixée d'un coté du semicon) et la masse et donc l'etat du bit, puis tout ces bits peuvent etre regroupés par paquet de 8->un octet avec une adresse en hexadecimale du type FF056A10.  
voila normalement avec cette explication tu dvrais comprendre ce qui se passe dans une memoire

bon blague a part deja ta question est tres mal posée , tout depend de la memoire que tu as, mais de maniere  generale tu as une technologie de multiplexage qui permet de guider un bit dans un niveau de cellule constitué de semiconducteurs. ce guidage se fait par un mode d'adressage simple (adressage de la memoire).bon maintenant ca devient technique, ce bit (comme tu le demandes) ne peut pas etre vu a l'oeil nue  car il est determiné par un etat de polarisation dans ton semiconducteur, tu n'as jamais vu un volt a l'oeil nue nan . Ce type de semiconducteur c'est generalement des semiconducteurs de structure MOS (Metal Oxyde Semiconductor), et par une certaine polarisation sur le metal on peut arrivé a piéger les electron qui eux vont contribuer a la charge qui va donner l'etat de polarisation dans l'oxyde qui lui donne l'etat du bit, tu me suis jusque là?
bon ensuite tu as d'autres types de memoire a structure MOS mais la ce n'est plus une question de piegage des electrons mais c'est une question  d'etat binaire d'interupteur. en fonction de l'etat de polarisation sur le metal (le drain) tu peux creer ,par un fenomene de depletion forte des electrons qui sont généralement les porteur de charg minoritaire face aux trous, un courant qui d'une maniere assez elaborée (apres inversion forte) va donner l'état de polirisation entre la grille (fixée d'un coté du semicon) et la masse et donc l'etat du bit, puis tout ces bits peuvent etre regroupés par paquet de 8->un octet avec une adresse en hexadecimale du type FF056A10.  
voila normalement avec cette explication tu dvrais comprendre ce qui se passe dans une memoire

Pour simplifier la chose :  
 
Pour les mémoire flash et EEPROM ( donc non volatiles ) sont utilisés des transistors muni de deux grilles. Une charge va donc se retrouver piégée ou non entre ces deux grilles ( 0 ou 1 en binaire ).
 
Pour la DRAM : Un transistor MOS fait office d'interrupteur. Quand l'interrupeur s'ouvre, on peut charger une capacité ou la décharger ( 0 ou 1 ).
 
Pour la SRAM : Elle est composée de 6 transistor MOS, dont 4 forment 2 inverseur logiques.
 
Pour la miniaturisation : et oui, une largeur de grille de 0.13µm ca ne se voit pas à l'oeil nu.