Marc Super Administrateur Chasseur de joce & sly | - gab a écrit :
A ce sujet, la réduction de la finesse de gravure pour la RAM ne pose pas de problèmes particuliers ? (comme ce ce qu'on voit pour la NAND par exemple)
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Si bien sûr, pas les mêmes bien sûr. A ce jour il est +/- admis qu'il sera difficile d'aller sous les 16nm pour les DRAM "conventionnelles" fredo3 a écrit :
mmh apparemment y a pas que la finesse de gravure qui change, apparemment la structure des cellules mémoire a aussi changée, ce qui explique le bond assez inhabituel des perf annoncées: http://www.anandtech.com/show/1022 [...] ocess-tech Citation :
What we do know is that the new tech stacks very narrow cylinder-shaped capacitors on top of transistors, which implies a new DRAM cell structure (4F2?). Manufacturers of memory have historically changed the structures of DRAM cells every five or six years, and each change represents a major technology challenge as the density changes. Samsung says that it has refined the dielectric layer deposition technology and enabled substantial performance improvements, which may mean that the new memory chips can have a higher clock-rate potential than Samsung’s existing DRAMs, or more units will pass the base tests. If this is the case, if we extrapolate, this may open doors to DDR4 memory modules with unprecedented data rates (e.g., higher than DDR4-4400).
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AMHA pas mal d’interprétation à partir du CP de Samsung (linké ici en source). Sauf erreur de ma part le condensateur cylindrique sur le transistor ce n'est pas nouveau, idem pour la couche de diélectrique. Par contre pour aller de paire avec l'abaissement de la finesse de gravure ils ont du la rendre plus fine sans altérer sa capacité d'isolation. Il faudra attendre un rayon X de la puce ou l'IEDM 2016 en décembre
Message édité par Marc le 09-04-2016 à 09:37:45
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