Les ingénieurs de Samsung effectueront la présentation d'une nouvelle puce de type PRAM en février prochain lors de la conférence dédiée aux circuits intégrés, ...
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Qu'en est-il de la densité de stockage?
 
A finesse et capacité égale, une PRAM nécessite-elle plus de silicium???

enfin du neuf dans ce monde de vieux

Non, au contraire. La PRAM stocke les données dans des cellules constituées de polymer (qui change d'état, crystalin à amorphe, d'ou le nom). Les problèmes de densité tiennent plus d'un éventuel crosstalk lié au fait que pour faire changer d'état les polymers, on les chauffe via des transistors/diodes.

Bof, on obtient déjà tous les débits nécessaires avec de la NAND MLC en utilisant plusieurs canaux.
Dans ces conditions on ne voit pas trop l'intérêt de la PRAM...

1. La durée de vie des cellules, qui certes ne pose pas trop de soucis actuellement, ira probablement commencer à poser problème quand on sera sous les 10nm de finesse de gravure
 
2. L'augmentation de la finesse de gravure va atteindre des limites d'ici une décennie. Or en terme de capacité de stockage on sera encore très très loin de ce que les HDD peuvent faire. Donc va falloir une alternative à la flash actuelle car elle ne ne pourra jamais remplacer complètement les HDD pour des raisons physiques. (d'où justement ma question plus haut)
 

Erreur pour la durée de vie des cellules... je viens d'y être confronté après ~18 mois sur mon tel, ce qui a corrompu certains fichiers de la carte mémoire.
 
Par contre, la PRAM permettrait un temps d'accès en écriture bien moins catastrophique que la NAND et encore meilleur que la NOR, et personne ne cracherait là-dessus.

Sacré Coréens!
Bravo à Samsung-IBM. Et les autres c'est qui? personne? en Europe on est pas cap?
Dommage qu'il ny ait pas plus de liens pour l'actualité des mémoires non volatiles dans l'onglet "Contenu relatif" :-(